技術人對新知識的追求總是不遺餘力,MOS FET功率電晶體在國內仍是很新的元件,但已逐漸可以買到。使用MOS FET作為功率輸出元件最少有三個好處:

  (1)它是高阻抗元件,不需要很大的電流來驅動,放大電路的設計將可大大簡化。

  (2)它是單極性半導體,沒有一般電晶體的二次崩潰現象,因此它的耐功率額可以滿度使用,再者它具有負的溫度係數,沒有「熱跑脫」的現象,不需任何溫度補償,對簡化電路設計亦有幫助。

  (3)它是主載子傳遞電荷,比起雙載子傳遞要快得多,上升和下降時間都很短。本電路原設計供給±42V的電源電壓,輸出功率大約有85W,電路架構相當簡單,輸入差動級驅動主增益級Q3,R1 R2把輸入級到Q3偏置在適當的工作點上,Q3的負載是增阻是恆流電路,Q4為偏壓電路,Q3的輸出直接驅動後接的MOS FET Q6,無需再加一級電流放大,Q7則經由Q5作電位轉換,以獲得適當的驅動電平和極性(由於直接交連的關係)。Q6 Q7是相同極性的(即所謂半對稱輸出電路)。電路中使用的零件都標示得很清楚,除功率晶體外最好勿隨便更換。功率晶體以容易入手者為原則,但最好仍選擇CGS較小的品種。(AP-26)

轉載音響技術第70期OCT. 1981 實用電路精粹/MOS FET 後級放大器 AP-26/(原載:Audio Amateur 2/1981 P. 9)

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