MOS-FET 後級放大器 AP-31

  自從1973年縱型FET(V-FET)被成功地使用於音響後,V-FET著實風風光光地主宰了音響界好幾年。隨後經過四年的開發與研究,1977年起,MOS-FET開始成為音響運用的主流;此二者真可謂各領風騷幾年,熱門的程度,實可謂不分軒輊。這兩種FET,就本質而言,應屬相同,但其偏壓極性的接法則不相同,另在特性上亦有相當程度的差異;V-FET的製法,與以前所使用的小訊號FET一樣,採接合型(Junction)作法,惟其結構則大異其趣,不使用傳統電流由汲極『橫向』流向源極的架構,而改為『縱向』流動的方式,此亦即名之為縱型FET的理由。功率MOS-FET,則採取將小訊號MOS-FET並聯連接(與功率V-FET一樣),而獲得的方法不一樣。有關方法上的不同,此處不擬詳析,有興趣的讀者請自行參考其他專論性書籍。

  MOS-FET的崛起,其來有自,與雙極性電晶體相較之下,其最主要的優點為:汲極電流具負溫度係數;換句話說,溫度上升,汲極電流下降。這真是吸引人的特性,您知道它代表何意?其表示不需再考慮熱穩定補償問題了。另外由於MOS-FET沒有局部電流集中現象,故無SOA的限制。尚有其他優點,如高速、頻率響應佳、高的功率增益等,此皆在在慫恿人們去裝一台MOS-FET功率放大器。

AT-94 MOS-FET 後級放大器 AP-31  

  本文所示,為一30W+30W後級放大器,輸入為N-Channel FET加NPN電晶體形成之串疊式(cascode)差動放大,其共源極處,則由電流鏡提供絕佳穩定度之恆流源。初級輸出電壓再經二級差動放大後,直接drive推動管;至此與本刊88期之AB類180瓦後級完全雷同。

  功率晶體部分,本機採用東芝出品之2SK271與2SJ91,其額定功率足有120瓦。至於本機特性,在8歐姆負載下絕對可達30W,總諧波失真(THD)在20Hz至20KHz時低於0.1%。  (原載:無線實驗)

轉載音響技術第94期 NOV. 1983 實用電路精粹/MOS-FET 後級放大器 AP-31/

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