AT-100-003簡易Vceo測試器MT-53  

  電晶體的耐壓問題,一直是電路設計中選用晶體的重要參數之一。根據電晶體耐壓的測量,主要指的是集極至射極間的耐壓值,它的定義可解釋為:於晶體基極開路的狀況下,將電壓加於集極與射極之間,並增加電壓數值,若它通過集極──射極的電流Ic為某一規定的數值,則在這Ic數值之下的Vce電壓值即為此晶體的Vceo了。

  本文所示即是根據上述理論所設計出來的簡易Vceo耐壓測試器,基本著眼點乃利用恆流源使其固定於規定的Ic數值,然後再測量其集極射極間的電壓值即可。圖中的OP運算放大器(741C)與晶體2SC1103A及2SC782組成本機的恆流源,兩枚晶體以達林頓電路接法接成,主要目的為了提高恆流源的控制作用,另可有效地提高電流放大係數。這個恆流裝置共分三檔,依次為0.3mA、3mA及30mA,至於測試晶體時應選用何檔,這主要依據晶體的額定功率而定,一般小功率管用0.3mA檔,中功率晶體以3mA檔測試,大功率晶體則以30mA檔為之。另,在被測晶體C-E端間加入測量電壓表,此電壓表內阻必須屬於高內阻的電壓表,否則測量結果誤差值將偏高。電壓表的規格採用30uA/250V,故若Ic的誤差值為10%時,則在250伏特此電壓表的內阻約為7.5MΩ。若是用三用電表來代替,則就應選用30KΩ/V左右的高靈敏度電壓檔來進行。

  本機論點以定義衍生而來,依定義可知,Ic的電流為一定,此時所測的電壓即為晶體的耐壓數值,亦即一般常見晶體手冊上的擊穿電壓Breakdown voltage了。

轉載音響技術第100期APR. 1984 實用電路精粹/簡易Vceo測試器 MT-53/(原載: The Radio Experimenter 101 p. 58)

    全站熱搜

    蘇桑 發表在 痞客邦 留言(0) 人氣()